HMC439QS16G
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 4.8 V, 5 V, 5.2 V、频率范围 10～1300 MHz、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 4.25 W，采用 QSOP-16 封装。
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HMC439QS16GE
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 4.8 V, 5 V, 5.2 V、频率范围 10～1300 MHz、技术 SiGe、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QSOP-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF DetectorHMC439QS16GE
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 4.8 V, 5 V, 5.2 V、频率范围 10 MHz to 1.3 GHz、技术 SiGe、类型 Digital Phase-Frequency Detector、动态范围（dB） 20 dB、配置 Single，采用 QSOP-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF DetectorHMC439QS16GETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 5 V、频率范围 10～1300 MHz、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 4.25 W，采用 QSOP-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF DetectorHMC439QS16GETR
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 4.8 V, 5 V, 5.2 V、频率范围 10 MHz to 1.3 GHz、技术 Si、类型 Digital Phase-Frequency Detector、动态范围（dB） 20 dB、配置 Single，采用 QSOP-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF DetectorHMC439QS16GTR
Analog Devices
RF Detector dig Phase-freq Detector , 0.01 - 1.3 GHz
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