HMC435AMS8GE
Analog Devices / Hittite
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 DC to 4 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 1.2 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB，采用 MSOP-8 封装。
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HMC435AMS8GE
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 4 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 1.2 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Switch ICsHMC435AMS8GETR
Analog Devices / Hittite
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 DC to 4 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 1.2 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB，采用 MSOP-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Switch ICsHMC435AMS8GETR
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 4 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 1.2 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB。
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