HMC434
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs，采用 SOT-26-6 封装。
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HMC434E
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-26-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC434E
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC434ETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs，采用 SOT-26-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC434ETR
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs，采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC434SRJZ-EP-PT
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压（最小值） 2.85 V、电源电压（最大值） 3.15 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 0.2 GHz、技术 GaAs，采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC434SRJZ-EP-PT
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最小值） 2.85 V、电源电压（最大值） 3.15 V、工作电源电压 3 V、最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 200 MHz、技术 GaAs，采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC434SRJZ-EP-R7
Analog Devices / Hittite
Prescaler EP InGaP HBT Divide-by-8
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC434SRJZ-EP-R7
Analog Devices
主要参数包括技术 InGaP、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是，采用 SOT-23-6 封装。
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Analog Devices / Hittite
Prescaler InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 8 GHz
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