HMC414MS8GETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.6 V, 5 V、工作频率 2.2~2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 27 dBm,采用 MSOP-8 封装。
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Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.6 V, 5 V、工作频率 2.2~2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 27 dBm,采用 MSOP-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.75~5 V、工作频率 2.2~2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 300 mA。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier