HMC414MS8GE
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.8 GHz、频率范围 2.2～2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 RF Amplifier，采用 MSOP-8 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| HMC414MS8G | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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HMC414MS8GE
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.75～5 V、工作频率 2.2～2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 300 mA。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC414MS8GETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.6 V, 5 V、工作频率 2.2～2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 27 dBm，采用 MSOP-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC414MS8GETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.75～5 V、工作频率 2.2～2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 300 mA。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier