HMC406MS8GE
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6 GHz、频率范围 5~6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 RF Amplifier。
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Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6 GHz、频率范围 5~6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 RF Amplifier。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5~6 GHz、测试频率 5.7~5.9 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5~6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 27 dBm,采用 MSOP-8 封装。
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