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原厂资料

3 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
HMC392LC4Analog Devices
  • HMC392ALC4
2016-03-03查看资料
HMC392LC4TRAnalog Devices
  • HMC392ALC4
2016-03-03查看资料
HMC392LC4TR-R5Analog Devices
  • HMC392ALC4
2016-03-03查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

6 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

HMC392ALC4

Analog Devices / Hittite

主要参数包括通道数 1 个通道、湿敏性 是,采用 QFN-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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HMC392ALC4

Analog Devices

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2~5 V、工作频率 3.5~8 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 61 mA,采用 LGA-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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HMC392ALC4TR

Analog Devices / Hittite

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3.5~8 GHz、测试频率 5.5 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier,采用 QFN-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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HMC392ALC4TR

Analog Devices

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2~5 V、工作频率 3.5~8 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 61 mA,采用 LGA-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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HMC392ALC4TR-R5

Analog Devices / Hittite

主要参数包括通道数 1 个通道,采用 QFN-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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HMC392ALC4TR-R5

Analog Devices

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、原产国家或地区 美国,采用 LGA-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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