HMC392A
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3.5～7 GHz、测试频率 3.5～7 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC Low Noise Amplifier，采用 Die 封装。
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HMC392A-SX
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3.5～7 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC392A-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3.5～7 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 59 mA，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC392ALC4
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、湿敏性 是，采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC392ALC4
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2～5 V、工作频率 3.5～8 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 61 mA，采用 LGA-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC392ALC4TR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3.5～8 GHz、测试频率 5.5 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC392ALC4TR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2～5 V、工作频率 3.5～8 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 61 mA，采用 LGA-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC392ALC4TR-R5
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC392ALC4TR-R5
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、原产国家或地区 美国，采用 LGA-24 封装。
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