HMC376LP3E
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 700 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21.5 dBm，采用 QFN-16 封装。
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HMC376LP3E
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 700 MHz to 1 GHz、测试频率 810～960 MHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 QFN-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC376LP3ETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 700 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21.5 dBm，采用 QFN-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC376LP3ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 700 MHz to 1 GHz、测试频率 810～960 MHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 QFN-16 封装。
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