HMC374
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.3～3 GHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm、增益 15 dB，采用 SOT-26-6 封装。
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HMC374E
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3 GHz、频率范围 0.3～3 GHz、类型 RF Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm，采用 SOT-26-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC374E
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 300 MHz to 3 GHz、测试频率 300 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC374ETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.3～3 GHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm、增益 15 dB，采用 SOT-26-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC374ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 300 MHz to 3 GHz、测试频率 300 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC374SC70E
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 0.3～3 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16.5 dBm，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC374SC70E
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～3.6 V、工作频率 300 MHz to 3 GHz、测试频率 600 MHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC374SC70ETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 0.3～3 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16.5 dBm，采用 SC-70-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC374SC70ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 300 MHz to 3 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 75 mA，采用 SC-70-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC374TR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。
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