HMC363S8GETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP,采用 SOIC-8 封装。
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Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerAnalog Devices
主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 12 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP,采用 SOIC-8 封装。
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