HMC342
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 13～25 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 5 dBm，采用 Die 封装。
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HMC342-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC342LC4
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 13～25 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 7 dBm，采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC342LC4
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 13～25 GHz、测试频率 13～18 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC342LC4TR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 13～25 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 7 dBm，采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC342LC4TR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 13～25 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 43 mA，采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC342LC4TR-R5
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier