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HMC338LC3BTR

Analog Devices / Hittite

主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 24~34 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 18 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-12 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer
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HMC338LC3BTR

Analog Devices

主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压(最大值) 4 V、电源电压(最小值) 3 V、射频频率 24~34 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 18 dB,采用 QFN-12 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer
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HMC338LC3BTR-R5

Analog Devices

RF Mixer Sub Harmonic mix SMT, 24 - 34 GHz

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