HMC327MS8GETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3～4 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 27 dBm，采用 MSOP-8 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| HMC327MS8GTR | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
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HMC327MS8GETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3～4 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 250 mA。
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