HMC326MS8GETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3~4.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 23.5 dBm,采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| HMC326MS8GTR | Analog Devices |
| 2025-06-04 | 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3~4.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 23.5 dBm,采用 QFN-32 封装。
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