搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
HMC313TR	Analog Devices	HMC313ETR	2025-06-04	查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

2 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

Analog Devices / Hittite

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Broadband Amplifier Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 14 dBm，采用 SOT-26-6 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

Analog Devices

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 6 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifiers，采用 SOT-23-6 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier