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原厂资料

8 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
HMC292Analog Devices
  • HMC292A
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HMC292-SXAnalog Devices
  • HMC292A
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HMC292LC3BAnalog Devices
  • HMC292ALC3B
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HMC292LC3BTRAnalog Devices
  • HMC292ALC3B
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HMC292LC3BTR-R5Analog Devices
  • HMC292ALC3B
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HMC5683LC3BAnalog Devices
  • HMC292ALC3B
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HMC5683LC3BTRAnalog Devices
  • HMC292ALC3B
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HMC5683LC3BTR-R5Analog Devices
  • HMC292ALC3B
2016-03-03查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

4 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

HMC292A

Analog Devices

主要参数包括射频频率 14～32 GHz、本振频率 14～32 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12.5 dB、噪声系数（NF） 14 dB，采用 Chip-7 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer
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HMC292ALC3B

Analog Devices

主要参数包括射频频率 14～32 GHz、本振频率 14～32 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12.5 dB、噪声系数（NF） 14 dB，采用 LLC-12 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer
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HMC292ALC3BTR

Analog Devices

主要参数包括射频频率 14～32 GHz、本振频率 14～32 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12.5 dB、噪声系数（NF） 14 dB，采用 LLC-12 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer
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HMC292ALC3BTR-R5

Analog Devices

主要参数包括射频频率 14～32 GHz、本振频率 14～32 GHz、中频频率 DC to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12.5 dB、噪声系数（NF） 14 dB，采用 LLC-12 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer
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