HMC265
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 20~32 GHz、技术 GaAs、噪声系数(NF) 13 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C,采用 Chip 封装。
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Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 20~32 GHz、技术 GaAs、噪声系数(NF) 13 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C,采用 Chip 封装。
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Up-Down Converters I.C. Sub-Harm Downconv20-32GHz Die
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > Up-Down ConvertersAnalog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 20~31 GHz、技术 GaAs、噪声系数(NF) 13 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 SMT-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerAnalog Devices
主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压(最大值) 4 V、电源电压(最小值) 3 V、射频频率 20~31 GHz、技术 GaAs、噪声系数(NF) 13 dB,采用 SMT-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerAnalog Devices
RF Mixer Sub-Harmonic mix SMT, 20 - 31 GHz
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