HMC264LM3
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 20～30 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 SMT-6 封装。
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HMC264LM3
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 20～30 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB，采用 SMT-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC264LM3TR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 20～30 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 SMT-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC264LM3TR
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 20～30 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB，采用 SMT-6 封装。
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