HMC213BMS8E
Analog Devices
主要参数包括射频频率 1.5～4.5 GHz、本振频率 1.5～4.5 GHz、中频频率 DC to 1.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 MSOP-8 封装。
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HMC213BMS8ETR
Analog Devices
主要参数包括射频频率 1.5～4.5 GHz、本振频率 1.5～4.5 GHz、中频频率 DC to 1.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 MSOP-8 封装。
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