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原厂资料

8 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
HMC129Analog Devices
  • HMC129ALC4
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HMC129-EGMAnalog Devices
  • HMC129ALC4
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HMC129-SXAnalog Devices
  • HMC129ALC4
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HMC129G8Analog Devices
  • HMC129ALC4
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HMC129G8TRAnalog Devices
  • HMC129ALC4
2016-03-03查看资料
HMC129LC4Analog Devices
  • HMC129ALC4
2016-03-03查看资料
HMC129LC4TRAnalog Devices
  • HMC129ALC4
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HMC129LC4TR-R5Analog Devices
  • HMC129ALC4
2016-03-03查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

3 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

HMC129ALC4

Analog Devices

主要参数包括射频频率 4~8 GHz、本振频率 4~8 GHz、中频频率 DC to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 9 dB、噪声系数(NF) 7 dB,采用 QFN-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer
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HMC129ALC4TR

Analog Devices

主要参数包括射频频率 4~8 GHz、本振频率 4~8 GHz、中频频率 DC to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 9 dB、噪声系数(NF) 7 dB,采用 LCC-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer
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HMC129ALC4TR-R5

Analog Devices

主要参数包括射频频率 4~8 GHz、本振频率 4~8 GHz、中频频率 DC to 3 GHz、技术 GaAs、转换损耗(最大值) 9 dB、噪声系数(NF) 7 dB,采用 LCC-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer
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