HMC1120LP4ETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 DC to 3.9 GHz、动态范围（dB） 70 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。
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原厂资料
3 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| HMC1010LP4ETR | Analog Devices |
| 2022-07-28 | 查看资料 |
| HMC1020LP4ETR | Analog Devices |
| 2022-07-28 | 查看资料 |
| HMC1021LP4ETR | Analog Devices |
| 2022-07-28 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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HMC1120LP4ETR
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 0 Hz to 3.9 GHz、技术 Si、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 70 dB、配置 Single，采用 QFN-24 封装。
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