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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
HMC1010LP4E	Analog Devices	HMC1120LP4E	2022-07-28	查看资料
HMC1020LP4E	Analog Devices	HMC1120LP4E	2022-07-28	查看资料
HMC1021LP4E	Analog Devices	HMC1120LP4E	2022-07-28	查看资料
HMC1010LP4ETR	Analog Devices	HMC1120LP4ETR	2022-07-28	查看资料
HMC1020LP4ETR	Analog Devices	HMC1120LP4ETR	2022-07-28	查看资料
HMC1021LP4ETR	Analog Devices	HMC1120LP4ETR	2022-07-28	查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

4 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

Analog Devices / Hittite

主要参数包括单件重量 0.032741 oz，采用 QFN-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Detector

Analog Devices

主要参数包括工作电源电压 3.8 V、频率范围 0 Hz to 3.9 GHz、技术 Si、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 68 dB、配置 Single，采用 QFN-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Detector

Analog Devices / Hittite

主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 DC to 3.9 GHz、动态范围（dB） 70 dB、配置 Single、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Detector

Analog Devices

主要参数包括工作电源电压 3.3 V、频率范围 0 Hz to 3.9 GHz、技术 Si、类型 RMS Power Detector、动态范围（dB） 70 dB、配置 Single，采用 QFN-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Detector