HMC1113LP5ETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 3 V, 4 V、射频频率 10~16 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters、增益 12 dB,采用 QFN-32 封装。
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Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 3 V, 4 V、射频频率 10~16 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters、增益 12 dB,采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > Up-Down ConvertersAnalog Devices
主要参数包括工作电源电压 3 V, 4 V、电源电压(最大值) 3 V, 4 V、电源电压(最小值) 3 V, 4 V、射频频率 10~16 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 GaAs,采用 QFN-32 封装。
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