HMC1110
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 71~86 GHz、技术 GaAs、类型 Broadband Amplifier、工作电源电流 175 mA,采用 Die 封装。
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Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 71~86 GHz、技术 GaAs、类型 Broadband Amplifier、工作电源电流 175 mA,采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 71~86 GHz、技术 GaAs、类型 x6 Active Frequency Multiplier、工作电源电流 175 mA,采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括工作频率 71~86 GHz、技术 GaAs、类型 x6 Active Frequency Multiplier、工作电源电流 175 mA、原产国家或地区 中国台湾、最大工作温度 + 85 C,采用 Die 封装。
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