HMC1106
Analog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 15～36 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 14 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C、耗散功率（Pd） 157 mW，采用 Chip 封装。
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HMC1106-SX
Analog Devices
采用 Power Amplifiers 封装。
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