技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 2 V、工作频率 DC to 18 GHz、技术 SiGe、类型 Ultra-Wideband Amplifier、工作电源电流 47 mA, 64 mA, 74 mA, 140 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 LC5-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括工作电源电压 2 V、工作频率 0 Hz to 18 GHz、技术 SiGe、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 140 mA、增益 0 dB，采用 CLCC-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
RF Amplifier TH404 18GHz Dual Rank T/H amp
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
RF Amplifier TH404 18GHz Dual Rank T/H amp
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier