HMC1056LP4BE
Analog Devices / Hittite
主要参数包括射频频率 8～12 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 800 mW，采用 SMT-20 封装。
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HMC1056LP4BE
Analog Devices
主要参数包括射频频率 8～12 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SMT-20 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC1056LP4BETR
Analog Devices
RF Mixer 9-13GHz lo LO DRIVE PASSIVE IQ mix
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