HIP4086AABZ
Renesas / Intersil
主要参数包括电源电压(最小值) - 0.3 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 - 0.3 V to + 16 V、输出电流 140 uA、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers技术资料参考
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Renesas / Intersil
主要参数包括电源电压(最小值) - 0.3 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 - 0.3 V to + 16 V、输出电流 140 uA、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversRenesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、上升时间 40 ns、下降时间 20 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、高度 2.35 mm,采用 SOIC-24 封装。
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