HIP2101EIBZ
Renesas / Intersil
主要参数包括电源电压(最大值) 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 600 ns,采用 SOIC-EP-Narrow-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers技术资料参考
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Renesas / Intersil
主要参数包括电源电压(最大值) 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 600 ns,采用 SOIC-EP-Narrow-8 封装。
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主要参数包括电源电压(最大值) 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 600 ns,采用 SOIC-EP-Narrow-8 封装。
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