HFA3127BZ
Renesas / Intersil
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 8000 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 40,采用 SOIC-Narrow-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar Transistors技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Renesas / Intersil
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 8000 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 40,采用 SOIC-Narrow-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar TransistorsRenesas / Intersil
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 8000 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 40,采用 SOIC-Narrow-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar Transistors