HFA3096BZ
Renesas / Intersil
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Quint、最大集电极－发射极电压（VCEO） 8 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 5.5 V、最大直流集电极电流 0.065 A，采用 SOIC-Narrow-16 封装。
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HFA3096BZ96
Renesas / Intersil
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz, 5.5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN/PNP、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 SOIC-Narrow-16 封装。
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