HDBLS105G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 1.269863 oz，采用 DBLS-4 封装。
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芯片技术资料
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HDBLS105G RD
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersHDBLS105G RDG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersHDBLS105GHRD
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersHDBLS105GHRDG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。
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