H11G1M
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 100 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 PDIP-6 封装。
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H11G1M
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、电流传输比（最小值） 1000 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。
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