H11D3
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 200 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 DIP-6 封装。
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芯片技术资料
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H11D3M
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 200 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 PDIP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersH11D3SM
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 200 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 SMD-DIP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersH11D3SR2M
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 200 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 SMD-DIP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersNJVMJD44H11D3T4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNJVMJD45H11D3T4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT