IXBH14N250
IXYS
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.229281 oz。
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IXBH14N250A
IXYS
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.229281 oz。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversIXBH14N300HV
IXYS
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 3 kV、集电极－发射极饱和电压 2.2 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 38 A，采用 TO-247HV-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsIXFH14N100Q2
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1 kV、连续漏极电流（Id） 14 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXFH14N60P
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 14 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXFH14N60P3
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 14 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXFH14N80
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 14 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXFH14N80P
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 PolarHV HiPerFET Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXFH14N85X
IXYS
主要参数包括技术 Si、商品名称 HiPerFET、单件重量 0.211644 oz，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTH14N100
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1 kV、连续漏极电流（Id） 14 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET