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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
NTBGS001N06Consemi
  • STBGS1D5N06C
2023-12-22查看资料
NTBGS1D5N06Consemi
  • STBGS1D5N06C
2023-12-22查看资料
FDB024N06onsemi
  • NTBGS1D5N06C
2023-10-06查看资料
NVBGS1D2N08Honsemi
  • NVMTS1D2N08H
2023-03-30查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

8 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

GS1D

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Surface Mount Rectifier、反向电压(Vr) 200 V、正向电流(If) 1 A、配置 Single、正向电压(Vf) 950 mV、最大浪涌电流 30 A,采用 DO-214AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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GS1D-LTP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 200 V、正向电流(If) 1 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 30 A,采用 DO-214AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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GS1DB

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Surface Mount Rectifier、反向电压(Vr) 200 V、正向电流(If) 1 A、配置 Single、正向电压(Vf) 930 mV、最大浪涌电流 30 A,采用 DO-214AA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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GS1DE-TP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers、单件重量 0.002540 oz。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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GS1DFL

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Surface Mount Rectifier、反向电压(Vr) 200 V、正向电流(If) 1 A、配置 Single、正向电压(Vf) 950 mV、最大浪涌电流 30 A,采用 SOD-123FL-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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GS1DFL-TP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers、单件重量 0.001235 oz。

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GS1DHE3-LTP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers、单件重量 0.002222 oz,采用 SMA 封装。

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NTBGS1D5N06C

onsemi

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 60 V、连续漏极电流(Id) 267 A、漏源导通电阻(Rds On) 1.62 mOhms,采用 D2PAK-7 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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