GRF0030DGuerrilla RF该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 0 Hz to 7 GHz、技术 GaN-on-SiC、连续漏极电流(Id) 1.93 mA、漏源击穿电压(Vds) 150 V、输出功率 50 W、最大工作温度 + 225 C。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors查看技术资料