GD9FU4G8F4DMGI
GigaDevice
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、最小工作温度 - 40 C,采用 TSOP-I-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash技术资料参考
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GigaDevice
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、最小工作温度 - 40 C,采用 TSOP-I-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash