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GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C,采用 WSON-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash技术资料参考
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GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C,采用 WSON-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash