原型号
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
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- GD5F1GM7UEYIGRGigaDevice Semiconductor (HK) Limited第三方标注:厂商推荐
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| GD5F1GQ4UFYIGR | GigaDevice |
| 2023-09-14 | 查看资料 |
| GD5F1GQ4UEYIGR | GigaDevice |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 WSON-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash