GD25Q16CNIGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 USON-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash技术资料参考
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GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 20 mA,采用 USON-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash