原型号
查看详情 · 1 条候选W25Q32JWSSIQ TR
Winbond Electronics
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- GD25LQ64ESIGRGigaDevice Semiconductor (HK) Limited相似型号
搜索结果
原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| GD25LQ64CSIG | GigaDevice |
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| GD25LQ64CSIGR | GigaDevice |
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第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
GD25LQ64ESIGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 15 mA，采用 SOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash