GD25LD80EEIGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 USON-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash技术资料参考
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GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 USON-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash