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GD25LD80CTIG

GigaDevice

主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 10 mA,采用 SOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > NOR Flash
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GD25LD80CTIGR

GigaDevice

主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 10 mA,采用 SOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > NOR Flash
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