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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
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芯片技术资料
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GD25D05EEIGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash