GBU602
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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GBU602
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.190479 oz，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU602 C2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU602 D2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU602-G
Comchip Technology
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU602H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括端接方式 Radial、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国，采用 GBU 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU602HD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。
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