GBU2505Taiwan Semiconductor主要参数包括原产国家或地区 中国。半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers查看技术资料
GBU2505 D2Taiwan Semiconductor主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.08 V、最大浪涌电流 300 A,采用 GBU-4 封装。半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers查看技术资料