GBU10K
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
GBU10K
Diotec Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU10K-BP
Micro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 800V,10A
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU10K-LV
Diotec Semiconductor
Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBU, 800V, 10A, 150C
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU10K-LV-T
Diotec Semiconductor
Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBU, 800V, 10A, 150C
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU10K-T
Diotec Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU10KL-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.142084 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers