GBU10J
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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GBU10J
Diotec Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU10J-BP
Micro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 600V,10A
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU10J-T
Diotec Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。
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